دیتاشیت SVF4N65M
مشخصات دیتاشیت
| نام دیتاشیت | SVF4N65M |
|---|---|
| حجم فایل | 74.42 کیلوبایت |
| نوع فایل | |
| تعداد صفحات | 11 |
دانلود دیتاشیت SVF4N65M |
SVF4N65M Datasheet |
|---|
مشخصات
- RoHS: true
- Type: N Channel
- Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
- Datasheet: Hangzhou Silan Microelectronics SVF4N65M
- Power Dissipation (Pd): 77W
- Drain Source Voltage (Vdss): 650V
- Continuous Drain Current (Id): 4A
- Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 4V@250uA
- Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 2.7Ω@10V,2A
- Package: TO-251D-3
- Manufacturer: Hangzhou Silan Microelectronics
