SVF4N65M دیتاشیت
مشخصات دیتاشیت
|
نام دیتاشیت
|
SVF4N65M
|
|
حجم فایل
|
74.42
کیلوبایت
|
|
نوع فایل
|
pdf
|
|
تعداد صفحات
|
11
|
مشخصات فنی
-
RoHS:
true
-
Type:
N Channel
-
Category:
Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
-
Datasheet:
Hangzhou Silan Microelectronics SVF4N65M
-
Power Dissipation (Pd):
77W
-
Drain Source Voltage (Vdss):
650V
-
Continuous Drain Current (Id):
4A
-
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id):
4V@250uA
-
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id):
2.7Ω@10V,2A
-
Package:
TO-251D-3
-
Manufacturer:
Hangzhou Silan Microelectronics
